型号:DMN2019UTS-13 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 18.5 毫欧 @ 7A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 950mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 143pF @ 10V |
功率_最大 | 780mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
瀚佳科技(深圳)有限公司 | 李先生 李小姐0755-23140719/23915992 |
深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市和诚半导体有限公司 | 陈先生\陈小姐18929336553 |
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深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
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