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电子元器件详细资料 » IC[15454] » DMN2019UTS-13
型号:DMN2019UTS-13类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C18.5 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大222950mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs8.8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds143pF @ 10V
功率_最大780mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装剪切带 (CT)

供应商

北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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DMN2019UTS-13相关型号

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